EUV-Lithografie als Enabler für das digitale Zeitalter

Die EUV-Lithografie gewinnt das Rennen um die Herstellungsmethode künftiger Mikrochips. Viele Jahre hat die Halbleiterindustrie nach einem kosteneffizienten und massenfähigen Verfahren gesucht, mit dem noch kleinere Strukturen auf Silizium-Wafern belichtet werden können. Partnerschaftlich haben ASML, Zeiss und TRUMPF eine Technologie entwickelt, extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern für den industriellen Gebrauch zu gewinnen: In einer Vakuumkammer schießt ein Tröpfchengenerator 50.000 kleinste Zinntropfen pro Sekunde. Jeder dieser Tropfen wird durch einen der 50.000 Laserpulse getroffen und verwandelt diesen in Plasma. Dadurch entsteht EUV-Licht, das per Spiegel auf die zu belichtenden Wafer gelenkt wird. Den Laserpuls für die Plasmaabstrahlung liefert ein von TRUMPF entwickeltes, pulsfähiges CO2-Lasersystem - der TRUMPF Laser Amplifier.